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NSIP83086C-DSWTR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 9:51:31 查看 閱讀�30

NSIP83086C-DSWTR是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�,專為高�、高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
  這款芯片在高頻率工作條件下表�(xiàn)出卓越的效率,并且能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,從而滿足現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)對高功率密度和可靠性的要求�

參數(shù)

型號:NSIP83086C-DSWTR
  類型:功率晶體管
  材料:氮化鎵(GaN�
  最大漏源電壓(Vds):600V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):80mΩ(典型值)
  連續(xù)漏極電流(Id):8A
  脈沖漏極電流(Idp):24A
  開關(guān)速度:超�
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:DSWTR

特�

NSIP83086C-DSWTR具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高耐壓能力:其600V的最大漏源電壓使其能夠適�(yīng)寬范圍的輸入電壓�(huán)境�
  2. 超低�(dǎo)通電阻:80mΩ的典型導(dǎo)通電阻有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
  3. 快速開�(guān)性能:得益于氮化鎵技�(shù),該晶體管具備極快的開關(guān)速度,可有效減少開關(guān)損耗�
  4. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,確保在惡劣的工作條件下仍能保持�(wěn)定的性能�
  5. 緊湊型封裝:DSWTR封裝形式不僅節(jié)省了PCB空間,還改善了熱傳導(dǎo)效率�
  6. 寬溫度范圍:支持�-55℃到+175℃的�(jié)溫區(qū)�,適用于各種極端條件下的�(yīng)��

�(yīng)�

NSIP83086C-DSWTR廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):包括AC-DC適配器和充電��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:如電信�(shè)備中的中間總線架�(gòu)�(zhuǎn)換器�
  3. 太陽能逆變器:
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于工�(yè)自動(dòng)化和家用電器�
  5. 電動(dòng)汽車充電�(shè)施:支持快速充電功能�
  6. �(shù)�(jù)中心供電模塊:提升能源利用效��

替代型號

NSIP83086B-DSWTR, IP83086C-DTR

nsip83086c-dswtr推薦供應(yīng)� 更多>

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