NSPU3061N2T5G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,由納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用 GaNFast 技�(shù),具有超高開�(guān)速度和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),非常適合用于高效率、小體積的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)�,例如快充適配器、數(shù)�(jù)中心電源以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理�(lǐng)��
NSPU3061N2T5G 集成了驅(qū)�(dòng)器和保護(hù)功能,大幅簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(fù)雜度,并顯著提升了系�(tǒng)的功率密度和能效�
額定電壓�650V
連續(xù)電流�6A
�(dǎo)通電阻:140mΩ
柵極電荷�22nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)
封裝形式:LLLP8
工作溫度范圍�-40� � +150�
NSPU3061N2T5G 使用了先�(jìn)的氮化鎵材料,其電子遷移率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET,從而實(shí)�(xiàn)了更快的開關(guān)速度和更低的�(dǎo)通損��
該器件還集成了多種保�(hù)功能,如�(guò)溫保�(hù)(OTP�、過(guò)流保�(hù)(OCP)和短路保護(hù)(SCP�,確保在極端條件下的可靠��
得益� GaN 材料的高熱導(dǎo)率和低寄生電�,NSPU3061N2T5G 可以�(shí)�(xiàn)更高的功率密度和更小的系�(tǒng)體積,特別適合緊湊型�(shè)�(jì)需求�
此外,它還支持高頻開�(guān)操作,能夠顯著減少磁性元件的尺寸和重�,從而�(jìn)一步優(yōu)化系�(tǒng)成本和性能�
NSPU3061N2T5G 廣泛�(yīng)用于各種高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)�,包括但不限于:
1. USB-PD 快速充電器
2. 開關(guān)電源(SMPS�
3. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
5. 消費(fèi)類電子設(shè)備的適配�
6. 太陽(yáng)能微型逆變�
7. �(wú)線充電系�(tǒng)
由于其高效的性能和小型化的潛力,這款器件也逐漸成為下一代高性能電源解決方案的核心組��
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