NSPU3061N2T5G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率晶體管,由納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)生產(chǎn)。該器件采用 GaNFast 技術(shù),具有超高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),非常適合用于高效率、小體積的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,例如快充適配器、數(shù)據(jù)中心電源以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理領(lǐng)域。
NSPU3061N2T5G 集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,大幅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)復(fù)雜度,并顯著提升了系統(tǒng)的功率密度和能效。
額定電壓:650V
連續(xù)電流:6A
導(dǎo)通電阻:140mΩ
柵極電荷:22nC
反向恢復(fù)時(shí)間:無(wú)
封裝形式:LLLP8
工作溫度范圍:-40℃ 至 +150℃
NSPU3061N2T5G 使用了先進(jìn)的氮化鎵材料,其電子遷移率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET,從而實(shí)現(xiàn)了更快的開關(guān)速度和更低的導(dǎo)通損耗。
該器件還集成了多種保護(hù)功能,如過(guò)溫保護(hù)(OTP)、過(guò)流保護(hù)(OCP)和短路保護(hù)(SCP),確保在極端條件下的可靠性。
得益于 GaN 材料的高熱導(dǎo)率和低寄生電感,NSPU3061N2T5G 可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更小的系統(tǒng)體積,特別適合緊湊型設(shè)計(jì)需求。
此外,它還支持高頻開關(guān)操作,能夠顯著減少磁性元件的尺寸和重量,從而進(jìn)一步優(yōu)化系統(tǒng)成本和性能。
NSPU3061N2T5G 廣泛應(yīng)用于各種高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景,包括但不限于:
1. USB-PD 快速充電器
2. 開關(guān)電源(SMPS)
3. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源
4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
5. 消費(fèi)類電子設(shè)備的適配器
6. 太陽(yáng)能微型逆變器
7. 無(wú)線充電系統(tǒng)
由于其高效的性能和小型化的潛力,這款器件也逐漸成為下一代高性能電源解決方案的核心組件。
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GAN063-650WSA