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NSPU3061N2T5G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/8 9:58:31 查看 閱讀:23

NSPU3061N2T5G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率晶體管,由納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)生產(chǎn)。該器件采用 GaNFast 技術(shù),具有超高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),非常適合用于高效率、小體積的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,例如快充適配器、數(shù)據(jù)中心電源以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理領(lǐng)域。
  NSPU3061N2T5G 集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,大幅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)復(fù)雜度,并顯著提升了系統(tǒng)的功率密度和能效。

參數(shù)

額定電壓:650V
  連續(xù)電流:6A
  導(dǎo)通電阻:140mΩ
  柵極電荷:22nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:無(wú)
  封裝形式:LLLP8
  工作溫度范圍:-40℃ 至 +150℃

特性

NSPU3061N2T5G 使用了先進(jìn)的氮化鎵材料,其電子遷移率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET,從而實(shí)現(xiàn)了更快的開關(guān)速度和更低的導(dǎo)通損耗。
  該器件還集成了多種保護(hù)功能,如過(guò)溫保護(hù)(OTP)、過(guò)流保護(hù)(OCP)和短路保護(hù)(SCP),確保在極端條件下的可靠性。
  得益于 GaN 材料的高熱導(dǎo)率和低寄生電感,NSPU3061N2T5G 可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更小的系統(tǒng)體積,特別適合緊湊型設(shè)計(jì)需求。
  此外,它還支持高頻開關(guān)操作,能夠顯著減少磁性元件的尺寸和重量,從而進(jìn)一步優(yōu)化系統(tǒng)成本和性能。

應(yīng)用

NSPU3061N2T5G 廣泛應(yīng)用于各種高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景,包括但不限于:
  1. USB-PD 快速充電器
  2. 開關(guān)電源(SMPS)
  3. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源
  4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  5. 消費(fèi)類電子設(shè)備的適配器
  6. 太陽(yáng)能微型逆變器
  7. 無(wú)線充電系統(tǒng)
  由于其高效的性能和小型化的潛力,這款器件也逐漸成為下一代高性能電源解決方案的核心組件。

替代型號(hào)

NV6113
  NV6115
  GAN063-650WSA

nspu3061n2t5g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nspu3061n2t5g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量61,706現(xiàn)貨40,000Factory
  • 價(jià)格1 : ¥3.82000剪切帶(CT)8,000 : ¥0.64011卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 類型齊納
  • 單向通道1
  • 雙向通道-
  • 電壓 - 反向斷態(tài)(典型值)6.3V(最大)
  • 電壓 - 擊穿(最小值)6.4V
  • 不同 Ipp 時(shí)電壓 - 箝位(最大值)10.4V
  • 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs)30A(8/20μs)
  • 功率 - 峰值脈沖-
  • 電源線路保護(hù)無(wú)
  • 應(yīng)用通用
  • 不同頻率時(shí)電容90pF @ 1MHz
  • 工作溫度-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼2-XDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝2-X2DFN(1x0.6)