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NSPU3061N2T5G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/8 9:58:31 查看 閱讀：23

NSPU3061N2T5G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效功率晶體管，由納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）生產(chǎn)。該器件采用 GaNFast 技術(shù)，具有超高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，非常適合用于高效率、小體積的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，例如快充適配器、數(shù)據(jù)中心電源以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理領(lǐng)域。
　　NSPU3061N2T5G 集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，大幅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，并顯著提升了系統(tǒng)的功率密度和能效。

參數(shù)

額定電壓：650V
　　連續(xù)電流：6A
　　導(dǎo)通電阻：140mΩ
　　柵極電荷：22nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：無(wú)
　　封裝形式：LLLP8
　　工作溫度范圍：-40℃ 至 +150℃

特性

NSPU3061N2T5G 使用了先進(jìn)的氮化鎵材料，其電子遷移率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET，從而實(shí)現(xiàn)了更快的開關(guān)速度和更低的導(dǎo)通損耗。
　　該器件還集成了多種保護(hù)功能，如過(guò)溫保護(hù)（OTP）、過(guò)流保護(hù)（OCP）和短路保護(hù)（SCP），確保在極端條件下的可靠性。
　　得益于 GaN 材料的高熱導(dǎo)率和低寄生電感，NSPU3061N2T5G 可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更小的系統(tǒng)體積，特別適合緊湊型設(shè)計(jì)需求。
　　此外，它還支持高頻開關(guān)操作，能夠顯著減少磁性元件的尺寸和重量，從而進(jìn)一步優(yōu)化系統(tǒng)成本和性能。

應(yīng)用

NSPU3061N2T5G 廣泛應(yīng)用于各種高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. USB-PD 快速充電器
　　2. 開關(guān)電源（SMPS）
　　3. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源
　　4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　5. 消費(fèi)類電子設(shè)備的適配器
　　6. 太陽(yáng)能微型逆變器
　　7. 無(wú)線充電系統(tǒng)
　　由于其高效的性能和小型化的潛力，這款器件也逐漸成為下一代高性能電源解決方案的核心組件。

替代型號(hào)

NV6113
　　NV6115
　　GAN063-650WSA

nspu3061n2t5g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nspu3061n2t5g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量61,706現(xiàn)貨40,000Factory
  • 價(jià)格1 : ￥3.82000剪切帶（CT）8,000 : ￥0.64011卷帶（TR）
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 類型齊納
  • 單向通道1
  • 雙向通道-
  • 電壓 - 反向斷態(tài)（典型值）6.3V（最大）
  • 電壓 - 擊穿（最小值）6.4V
  • 不同 Ipp 時(shí)電壓 - 箝位（最大值）10.4V
  • 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs)30A（8/20μs）
  • 功率 - 峰值脈沖-
  • 電源線路保護(hù)無(wú)
  • 應(yīng)用通用
  • 不同頻率時(shí)電容90pF @ 1MHz
  • 工作溫度-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼2-XDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝2-X2DFN（1x0.6）