NSR01F30NXT5G 是一款由ONSEMI(安森美半導體)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用Trench技術制造,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電源管理應用。其封裝形式為SOT-263(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能�
這款MOSFET的工作電壓范圍高�30V,非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開關、電機驅(qū)動以及電池保護電路等場景。由于其�(yōu)化的動態(tài)和靜�(tài)性能,能夠在高頻開關應用中實�(xiàn)高效能表�(xiàn)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.9A
導通電阻(典型值)�7.5mΩ
柵極電荷(典型值)�12nC
輸入電容(典型值)�110pF
總功耗:1.3W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
NSR01F30NXT5G具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少導通損耗并提高效率�
2. 快速開關能�,適合高頻應��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的耐用��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛設計�
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,確保在高溫�(huán)境中的長期運��
6. 小型化封�,節(jié)省PCB空間的同時保持良好的散熱性能�
該芯片廣泛應用于各種電力電子領域,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 負載開關
4. 電機�(qū)動電�
5. 工業(yè)控制和自動化系統(tǒng)
6. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
7. 通信設備中的信號�(diào)節(jié)與功率處�
NTMFS4836N
FDP5500
IRLML6402