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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NSR20F20NXT5G

NSR20F20NXT5G 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 12:43:25 查看 閱讀�33

NSR20F20NXT5G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體管,專為高頻、高壓應用場景設(shè)�。該器件采用先進的封裝技�(shù),具有出色的開關(guān)性能和熱管理能力,適用于電源�(zhuǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)自動化等�(lǐng)��

參數(shù)

型號:NSR20F20NXT5G
  類型:增強型場效應晶體管(eGaN FET�
  最大漏源電壓(Vds):600 V
  連續(xù)漏極電流(Id):20 A
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):1.5 V ~ 4.0 V
  導通電阻(Rds(on)):35 mΩ(典型值,@ Vgs=10V�
  開關(guān)速度:納秒級
  工作溫度范圍�-55°C ~ +175°C
  封裝形式:TO-247-3L

特�

NSR20F20NXT5G 擁有低導通電阻和快速開�(guān)速度,能夠顯著降低導通損耗和開關(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  該器件采用氮化鎵材料制�,具備更高的擊穿電場強度和熱�(wěn)定�,相比傳�(tǒng)硅基MOSFET更適合高�、高壓應��
  此外,其�(yōu)化的封裝�(shè)計增強了散熱性能,使得在高功率密度場景下仍能保持良好的可靠��
  其柵極驅(qū)動要求與標準硅MOSFET兼容,便于直接替代或升級�(xiàn)有設(shè)計,減少重新�(shè)計的工作��
  同時,它支持多種保護機制,包括過流保護和短路保護,確保在極端條件下也能安全R20F20NXT5G 廣泛應用于高效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)�,包括但不限于:
  - 開關(guān)電源(SMPS�
  - 太陽能逆變�
  - 電動車輛充電�
  - �(shù)�(jù)中心供電模塊
  - 工業(yè)電機�(qū)�
  - 射頻放大�
  - 高頻通信�(shè)�
  由于其出色的電氣性能和可靠�,這款器件成為需要高性能功率管理解決方案的理想選��

替代型號

NSR20F20NXT5GTR,
  NXR20F20NXT5G,
  GXT20F20N600

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nsr20f20nxt5g�(chǎn)�

nsr20f20nxt5g參數(shù)

  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特�
  • 電壓 - (Vr)(最大)20V
  • 電流 - 平均整流 (Io)2A(DC�
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)470mV @ 2A
  • 速度快速恢� = 200mA(Io�
  • 反向恢復時間(trr)-
  • 電流 - � Vr 時反向漏�150µA @ 20V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼2-XFDFN
  • 供應商設(shè)備封�2-DSN�1.6x.80�
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱NSR20F20NXT5GOSDKR