NSR20F20NXT5G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體管,專為高頻、高壓應用場景設(shè)�。該器件采用先進的封裝技�(shù),具有出色的開關(guān)性能和熱管理能力,適用于電源�(zhuǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)自動化等�(lǐng)��
型號:NSR20F20NXT5G
類型:增強型場效應晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓(Vds):600 V
連續(xù)漏極電流(Id):20 A
柵極閾值電壓(Vgs(th)):1.5 V ~ 4.0 V
導通電阻(Rds(on)):35 mΩ(典型值,@ Vgs=10V�
開關(guān)速度:納秒級
工作溫度范圍�-55°C ~ +175°C
封裝形式:TO-247-3L
NSR20F20NXT5G 擁有低導通電阻和快速開�(guān)速度,能夠顯著降低導通損耗和開關(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
該器件采用氮化鎵材料制�,具備更高的擊穿電場強度和熱�(wěn)定�,相比傳�(tǒng)硅基MOSFET更適合高�、高壓應��
此外,其�(yōu)化的封裝�(shè)計增強了散熱性能,使得在高功率密度場景下仍能保持良好的可靠��
其柵極驅(qū)動要求與標準硅MOSFET兼容,便于直接替代或升級�(xiàn)有設(shè)計,減少重新�(shè)計的工作��
同時,它支持多種保護機制,包括過流保護和短路保護,確保在極端條件下也能安全R20F20NXT5G 廣泛應用于高效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)�,包括但不限于:
- 開關(guān)電源(SMPS�
- 太陽能逆變�
- 電動車輛充電�
- �(shù)�(jù)中心供電模塊
- 工業(yè)電機�(qū)�
- 射頻放大�
- 高頻通信�(shè)�
由于其出色的電氣性能和可靠�,這款器件成為需要高性能功率管理解決方案的理想選��
NSR20F20NXT5GTR,
NXR20F20NXT5G,
GXT20F20N600