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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NSS12200WT1G

NSS12200WT1G 發(fā)布時間 時間�2023/4/10 11:15:31 查看 閱讀�810

NSS12200WT1G參數(shù)

目錄

概述

類型:PNP

集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓Vceo(V)�12

集電極最大電流Ic(max)(mA)�-2000

直流電流增益hFE最小�(dB)�100

直流電流增益hFE最大�(dB)�300

最小電流增益帶寬乘積Ft(MHz)�100

封裝/溫度(�):SOT-363/-55 to +150

資料

廠商
ON Semiconductor

nss12200wt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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nss12200wt1g參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Low Vce(sat) BJT Power Savings
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)2A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)12V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)290mV @ 20mA�1A
  • 電流 - 集電極截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)100 @ 800mA�1.5 V
  • 功率 - 最�450mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�100MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-88
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NSS12200WT1G-ND