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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NSS1C200MZ4T3G

NSS1C200MZ4T3G 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 9:32:23 查看 閱讀�22

NSS1C200MZ4T3G 是一款基于硅技�(shù)� N 漚道場效�(yīng)晶體管(N-MOSFET�,由ONSEMI公司生產(chǎn)。該器件主要�(shè)計用于高頻開�(guān)�(yīng)用和電源管理�(lǐng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特�,適合于高效能轉(zhuǎn)換器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等場��
  這款 MOSFET 的封裝形式為 DPAK(TO-263�,具備出色的熱性能和電氣性能,使其能夠在高功率密度的�(yīng)用中保持�(wěn)定運��

參數(shù)

型號:NSS1C200MZ4T3G
  制造商:ONSEMI
  類型:N-MOSFET
  VDS(漏源極電壓):200V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�0.27Ω(典型��25°C�
  IDS(連續(xù)漏極電流):2.9A
  PD(總功耗)�10W
  柵極電荷(Qg):11nC(典型值)
  VGS(th)(閾值電壓)�2.5V(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:DPAK(TO-263�

特�

NSS1C200MZ4T3G 具有以下顯著特點�
  1. 低導(dǎo)通電阻(RDS(on)):能夠減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力:較小的柵極電荷使得開關(guān)速度更快,從而降低開�(guān)損��
  3. 高雪崩能量能力:增強了器件在異常情況下的耐用性�
  4. 較高的漏源極電壓(VDS):支持高達(dá) 200V 的電�,適用于高壓�(yīng)用場景�
  5. 緊湊型封裝:采用 DPAK 封裝,便� PCB 布局且散熱性能�(yōu)異�
  6. 寬廣的工作溫度范圍:可以在極端溫度環(huán)境下�(wěn)定運�,適合工�(yè)和汽車級�(yīng)��

�(yīng)�

NSS1C200MZ4T3G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):
   - DC-DC �(zhuǎn)換器
   - 電池充電�
  2. 電機�(qū)動:
   - 步�(jìn)電機控制�
   - 小型直流電機控制
  3. 保護(hù)電路�
   - 過流保護(hù)
   - 短路保護(hù)
  4. 工業(yè)自動化:
   - 可編程邏輯控制器 (PLC)
   - 工業(yè)傳感器接�
  5. 汽車電子�
   - 車載充電系統(tǒng)
   - LED �(qū)�
   - 電動座椅及車窗控�

替代型號

NSS200P3LT4G
  NSS200P4LT4G
  FDP18N20Z

nss1c200mz4t3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nss1c200mz4t3g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)2A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)100V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)220mV @ 200mA�2A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)120 @ 500mA�2V
  • 功率 - 最�800mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�120MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)