NSS1C200MZ4T3G 是一款基于硅技�(shù)� N 漚道場效�(yīng)晶體管(N-MOSFET�,由ONSEMI公司生產(chǎn)。該器件主要�(shè)計用于高頻開�(guān)�(yīng)用和電源管理�(lǐng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特�,適合于高效能轉(zhuǎn)換器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等場��
這款 MOSFET 的封裝形式為 DPAK(TO-263�,具備出色的熱性能和電氣性能,使其能夠在高功率密度的�(yīng)用中保持�(wěn)定運��
型號:NSS1C200MZ4T3G
制造商:ONSEMI
類型:N-MOSFET
VDS(漏源極電壓):200V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�0.27Ω(典型��25°C�
IDS(連續(xù)漏極電流):2.9A
PD(總功耗)�10W
柵極電荷(Qg):11nC(典型值)
VGS(th)(閾值電壓)�2.5V(典型值)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:DPAK(TO-263�
NSS1C200MZ4T3G 具有以下顯著特點�
1. 低導(dǎo)通電阻(RDS(on)):能夠減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力:較小的柵極電荷使得開關(guān)速度更快,從而降低開�(guān)損��
3. 高雪崩能量能力:增強了器件在異常情況下的耐用性�
4. 較高的漏源極電壓(VDS):支持高達(dá) 200V 的電�,適用于高壓�(yīng)用場景�
5. 緊湊型封裝:采用 DPAK 封裝,便� PCB 布局且散熱性能�(yōu)異�
6. 寬廣的工作溫度范圍:可以在極端溫度環(huán)境下�(wěn)定運�,適合工�(yè)和汽車級�(yīng)��
NSS1C200MZ4T3G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電池充電�
2. 電機�(qū)動:
- 步�(jìn)電機控制�
- 小型直流電機控制
3. 保護(hù)電路�
- 過流保護(hù)
- 短路保護(hù)
4. 工業(yè)自動化:
- 可編程邏輯控制器 (PLC)
- 工業(yè)傳感器接�
5. 汽車電子�
- 車載充電系統(tǒng)
- LED �(qū)�
- 電動座椅及車窗控�
NSS200P3LT4G
NSS200P4LT4G
FDP18N20Z