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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NSS1C201MZ4T1G

NSS1C201MZ4T1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 12:00:37 查看 閱讀�32

NSS1C201MZ4T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)� N 灃道晶體管。該器件采用先�(jìn)的制造工�,適用于各種需要高效開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場�。它具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,非常適合用于消費電�、通信�(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)��
  該晶體管主要特點包括高效率、高可靠性和出色的熱性能,同時其小型化的封裝使其在空間受限的�(shè)計中更具�(yōu)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±12V
  連續(xù)漏電流:2.3A
  脈沖漏電流:9.2A
  �(dǎo)通電阻:75mΩ
  柵極電荷�11nC
  開關(guān)時間:典型� 8ns
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝類型:DFN2020-6

特�

NSS1C201MZ4T1G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,能夠支持高頻應(yīng)用需��
  3. 高電流承載能力,適合�(qū)動大功率�(fù)��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持性能一致��
  5. 小型化的 DFN2020-6 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  7. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)器件可靠��
  這款晶體管通過�(yōu)化設(shè)計,確保在復(fù)雜的工作�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

�(yīng)�

NSS1C201MZ4T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的功率開�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級元件�
  4. 消費類電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦的�(fù)載開�(guān)�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換�
  由于其出色的電氣特性和緊湊的封裝形�,該器件成為�(xiàn)代電子設(shè)計的理想選擇�

替代型號

NSS1C200NZ4T1G
  NSS1C201PZ4T1G
  FDMQ8201
  Si2301DS

nss1c201mz4t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nss1c201mz4t1g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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nss1c201mz4t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)2A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)100V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)180mV @ 200mA�2A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)120 @ 500mA�2V
  • 功率 - 最�800mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�100MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)