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NSS20201MR6T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/13 10:38:53 查看 閱讀�927

分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

家庭:晶體管(BJT) - 單路

晶體管類(lèi)型:NPN

電流 - 集電� (Ic)(最大)�2A

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�20V

Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�150mV @ 100mA, 1A

電流 - 集電極截止(最大)�100nA

在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)�200 @ 1A, 5V

功率 - 最大:460mW

頻率 - �(zhuǎn)換:200MHz

安裝�(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:SC-74-6

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TSOP

資料

�(chǎng)�
ON Semiconductor

nss20201mr6t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

nss20201mr6t1g資料 更多>

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nss20201mr6t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)2A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)20V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)150mV @ 100mA�1A
  • 電流 - 集電極截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)200 @ 1A�5V
  • 功率 - 最�460mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�200MHz
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NSS20201MR6T1G-NDNSS20201MR6T1GOSTR