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NSS20601CF8T1G 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 10:05:58 查看 閱讀:33

NSS20601CF8T1G 是一款由 Nexperia 生產(chǎn)的功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。它主要適用于需要高效能和低功耗的應(yīng)用場景,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動以及電池管理系統(tǒng)等。此型號為 N 溝道增強型 MOSFET,封裝形式為 LFPAK88-8(D2PAK),非常適合表面貼裝技術(shù)(SMT)應(yīng)用。
  這款 MOSFET 以其極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計而著稱,從而降低了傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,提升了整體效率。

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  封裝:LFPAK88-8 (D2PAK)
  最大漏源電壓(V_DS):60V
  最大柵源電壓(V_GS):±20V
  連續(xù)漏極電流(I_D):135A
  導(dǎo)通電阻(R_DS(on)):0.75mΩ @ V_GS=10V
  柵極電荷(Q_g):95nC
  總電容(C_iss):2450pF
  輸入電容(C_oss):185pF
  輸出電容(C_rss):255pF
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流能力(I_D = 135A),適用于大功率應(yīng)用。
  3. 高效的熱管理設(shè)計,確保在高負載條件下保持穩(wěn)定的性能。
  4. 小型化封裝 LFPAK88-8 提供了出色的散熱特性和易于集成的優(yōu)勢。
  5. 快速開關(guān)特性,適合高頻開關(guān)電源和轉(zhuǎn)換器。
  6. 寬工作溫度范圍(-55°C 至 +175°C),使其能夠適應(yīng)極端環(huán)境條件。
  7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
  3. 電動工具、家用電器和其他設(shè)備中的電機驅(qū)動。
  4. 工業(yè)自動化和汽車電子中的負載開關(guān)。
  5. 電池保護和管理系統(tǒng)(BMS)。
  6. 大功率 LED 驅(qū)動器。
  7. 各種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。

替代型號

NSS20601CF8T1GA, IRF2807Z, FDP16N60E

nss20601cf8t1g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nss20601cf8t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類型NPN
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)6A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)20V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)130mV @ 400mA,4A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)200 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大830mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換140MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引線
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝ChipFET?
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NSS20601CF8T1GOSTR