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NSS30101LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/11 9:58:04 查看 閱讀�764

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)� 

家庭:晶體管(BJT) - 單路

晶體管類型:NPN

電流 - 集電� (Ic)(最大)�1A

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�30V

Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�200mV @ 100mA, 1A

電流 - 集電極截止(最大)�100nA

在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)�300 @ 500mA, 5V

功率 - 最大:310mW

頻率 - �(zhuǎn)換:100MHz

安裝類型:表面貼� 

封裝/外殼:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3 

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23

其它名稱:NSS30101LT1G-NDNSS30101LT1GOSTR

資料

廠商
ON Semiconductor

nss30101lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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nss30101lt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)1A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)30V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)200mV @ 100mA�1A
  • 電流 - 集電極截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)300 @ 500mA�5V
  • 功率 - 最�310mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�100MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NSS30101LT1G-NDNSS30101LT1GOSTR