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NST489AMT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/4/11 9:56:31 查看 閱讀：939

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 

家庭：晶體管(BJT) - 單路

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大）：2A

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：200mV @ 100mA, 1A

電流 - 集電極截止（最大）：100nA

在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)：300 @ 500mA, 5V

功率 - 最大：535mW

頻率 - 轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：表面貼裝 

封裝/外殼：SC-74-6 

包裝：帶卷 (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TSOP

其它名稱：NST489AMT1G-NDNST489AMT1GOSTR

資料

廠商
ON Semiconductor

nst489amt1g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nst489amt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類型NPN
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）2A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）30V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）200mV @ 100mA，1A
  • 電流 - 集電極截止（最大）100nA
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)300 @ 500mA，5V
  • 功率 - 最大535mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換300MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74，SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NST489AMT1G-NDNST489AMT1GOSTR