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NSTB60BDW1T1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/4/10 11:07:57 查看 閱讀:870

數(shù)字晶體管

目錄

概述

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:數(shù)字晶體管

配置:Dual

晶體管極性:NPN

典型輸入電阻器:22 KOhm

典型電阻器比率:2.13

封裝 / 箱體:SOT-363

直流電流增益 hFE 最小值:80 @ 5mA @ 10V @ NPN

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V

集電極連續(xù)電流:- 150 mAdc

峰值直流集電極電流:150 mA

功率耗散:256 mW

最大工作溫度:+ 150℃

封裝:Reel

最小工作溫度:- 55℃

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

資料

廠商
ON Semiconductor

nstb60bdw1t1g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nstb60bdw1t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型1 NPN 預(yù)偏壓式,1 PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)150mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)(歐)22k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐)47k
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V / 120 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 5mA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換140MHz
  • 功率 - 最大250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-88
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NSTB60BDW1T1GOSNSTB60BDW1T1GOS-NDNSTB60BDW1T1GOSTR