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NSTB60BDW1T1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/4/10 11:07:57 查看 閱讀：870

數(shù)字晶體管

目錄

概述

制造商：ON Semiconductor

產(chǎn)品種類：數(shù)字晶體管

配置：Dual

晶體管極性：NPN

典型輸入電阻器：22 KOhm

典型電阻器比率：2.13

封裝 / 箱體：SOT-363

直流電流增益 hFE 最小值：80 @ 5mA @ 10V @ NPN

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V

集電極連續(xù)電流：- 150 mAdc

峰值直流集電極電流：150 mA

功率耗散：256 mW

最大工作溫度：+ 150℃

封裝：Reel

最小工作溫度：- 55℃

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

資料

廠商
ON Semiconductor

nstb60bdw1t1g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nstb60bdw1t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型1 NPN 預(yù)偏壓式，1 PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）150mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)（歐）22k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）47k
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)80 @ 5mA，10V / 120 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換140MHz
  • 功率 - 最大250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-88
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NSTB60BDW1T1GOSNSTB60BDW1T1GOS-NDNSTB60BDW1T1GOSTR