NSVR0320MW2T1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高性能、低導通電阻的 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的半導體制造工�,具備出色的開關特性和低功耗性能,適用于多種電源管理及信號切換應用場��
其封裝形式為 WDFN-8 封裝,適合高密度設計,同時具有小體積和良好散熱性能的特點�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.9A
導通電阻(典型值)�15mΩ
柵極電荷�7nC
工作結溫范圍�-55� � +150�
封裝類型:WDFN-8
NSVR0320MW2T1G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可顯著降低功率損耗并提升效率�
2. 超小� WDFN-8 封裝設計,非常適合空間受限的應用場景�
3. 快速開關能�,支持高頻應用環(huán)境�
4. 高靜電防護能力(ESD�,增強了產品的可靠��
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
6. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠承受較寬的工作溫度范��
這款 MOSFET 廣泛應用于各種電子電路中,例如:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC 轉換器中的功率開��
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關�
4. 電機驅動器中的信號切換�
5. 各類便攜式設備中的電源管理模��
6. 通信設備中的信號隔離與控��
7. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的功率級組��
NTSV2002NPT1G
NLFM0320N2T1G
STL110N3LLH5