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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NSVR0320MW2T1G

NSVR0320MW2T1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 10:45:55 查看 閱讀�19

NSVR0320MW2T1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高性能、低導通電阻的 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的半導體制造工�,具備出色的開關特性和低功耗性能,適用于多種電源管理及信號切換應用場��
  其封裝形式為 WDFN-8 封裝,適合高密度設計,同時具有小體積和良好散熱性能的特點�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�2.9A
  導通電阻(典型值)�15mΩ
  柵極電荷�7nC
  工作結溫范圍�-55� � +150�
  封裝類型:WDFN-8

特�

NSVR0320MW2T1G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可顯著降低功率損耗并提升效率�
  2. 超小� WDFN-8 封裝設計,非常適合空間受限的應用場景�
  3. 快速開關能�,支持高頻應用環(huán)境�
  4. 高靜電防護能力(ESD�,增強了產品的可靠��
  5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
  6. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠承受較寬的工作溫度范��

應用

這款 MOSFET 廣泛應用于各種電子電路中,例如:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC 轉換器中的功率開��
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關�
  4. 電機驅動器中的信號切換�
  5. 各類便攜式設備中的電源管理模��
  6. 通信設備中的信號隔離與控��
  7. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的功率級組��

替代型號

NTSV2002NPT1G
  NLFM0320N2T1G
  STL110N3LLH5

nsvr0320mw2t1g推薦供應� 更多>

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nsvr0320mw2t1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特�
  • 電壓 - (Vr)(最大)20V
  • 電流 - 平均整流 (Io)1A(DC�
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)500mV @ 900mA
  • 速度快速恢� = 200mA(Io�
  • 反向恢復時間(trr)-
  • 電流 - � Vr 時反向漏�50µA @ 15V
  • 電容@ Vr, F29pF @ 5V�1MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-76,SOD-323
  • 供應商設備封�SOD-323
  • 包裝帶卷 (TR)