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NSVRB521S30T1G 發(fā)布時間 時間:2025/5/10 9:40:14 查看 閱讀:22

NSVRB521S30T1G 是一款由ONSEMI(安森美半導體)生產的高壓 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用先進的制造工藝,具有出色的開關性能和低導通電阻,適合在高功率密度的應用-263-3(DPAK),能夠有效提升散熱性能并滿足緊湊型設計需求。
  這款 MOSFET 主要用于需要高效率、快速開關的場景,例如電源管理模塊、電機驅動、工業(yè)控制以及汽車電子系統(tǒng)等。

參數

型號:NSVRB521S30T1G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  額定電壓(Vdss):600V
  額定電流(Id):24A
  導通電阻(Rds(on)):0.45Ω (最大值,在Vgs=10V時)
  柵極電荷(Qg):15nC (典型值)
  輸入電容(Ciss):1720pF (典型值)
  ):600V (最小值)
  功耗(Ptot):20W (最大值,結溫150℃時)
  工作溫度范圍(Ta):-55℃ 至 +150℃
  封裝:TO-263-3 (DPAK)

特性

NSVRB521S30T1G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 高耐壓能力:額定電壓高達600V,適用于各種高壓應用場景。
  2. 較低的導通電阻:Rds(on)僅為0.45Ω(在Vgs=10V時),有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
  3. 快速開關性能:低柵極電荷Qg(15nC典型值)使器件具備更快的開關速度,從而降低開關損耗。
  4. 良好的熱性能:采用TO-263-3封裝,可有效散發(fā)熱量,確保長時間穩(wěn)定運行。
  5. 寬工作溫度范圍:能夠在-55℃至+150℃范圍內正常工作,適應極端環(huán)境條件。
  6. 可靠性高:符合安森美嚴格的制造標準和質量要求,可靠性強且壽命長。

應用

NSVRB521S30T1G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS):如AC/DC適配器、LED驅動器等,提供高效穩(wěn)定的電源轉換。
  2. 電機驅動:用于無刷直流電機(BLDC)或其他類型的電機控制,實現精確的速度調節(jié)。
  3. 工業(yè)控制:包括逆變器、不間斷電源(UPS)和其他工業(yè)自動化設備中的功率管理。
  4. 汽車電子:如電動車窗、座椅調節(jié)及電池管理系統(tǒng)中的功率級元件。
  5. 充電器:為手機、筆記本電腦以及其他便攜式設備提供高效的充電解決方案。
  6. 太陽能微逆變器:幫助將太陽能轉化為可用電力,并優(yōu)化能量轉換效率。

替代型號

NTBL21N60N3L,
  IRF840,
  FDP5500,
  FDS6580

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  • 產品型號
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  • 詢價

nsvrb521s30t1g參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭單二極管/整流器
  • 系列-
  • 二極管類型肖特基
  • 電壓 - (Vr)(最大)30V
  • 電流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
  • 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大)500mV @ 200mA
  • 速度小信號 =
  • 反向恢復時間(trr)-
  • 電流 - 在 Vr 時反向漏電30µA @ 10V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-79,SOD-523
  • 供應商設備封裝SOD-523
  • 包裝帶卷 (TR)