NSVRB521S30T1G 時間：2025/5/10 9:40:14 閱讀：22

NSVRB521S30T1G 是一款由ONSEMI（安森美半導體）生產的高壓 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用先進的制造工藝，具有出色的開關性能和低導通電阻，適合在高功率密度的應用-263-3（DPAK），能夠有效提升散熱性能并滿足緊湊型設計需求。
　　這款 MOSFET 主要用于需要高效率、快速開關的場景，例如電源管理模塊、電機驅動、工業(yè)控制以及汽車電子系統(tǒng)等。

參數

型號：NSVRB521S30T1G
　　類型：N溝道增強型MOSFET
　　額定電壓(Vdss)：600V
　　額定電流(Id)：24A
　　導通電阻(Rds(on))：0.45Ω (最大值，在Vgs=10V時)
　　柵極電荷(Qg)：15nC (典型值)
　　輸入電容(Ciss)：1720pF (典型值)
　　)：600V (最小值)
　　功耗(Ptot)：20W (最大值，結溫150℃時)
　　工作溫度范圍(Ta)：-55℃ 至 +150℃
　　封裝：TO-263-3 (DPAK)

特性

NSVRB521S30T1G 的主要特性包括以下幾點：
　　1. 高耐壓能力：額定電壓高達600V，適用于各種高壓應用場景。
　　2. 較低的導通電阻：Rds(on)僅為0.45Ω（在Vgs=10V時），有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　3. 快速開關性能：低柵極電荷Qg（15nC典型值）使器件具備更快的開關速度，從而降低開關損耗。
　　4. 良好的熱性能：采用TO-263-3封裝，可有效散發(fā)熱量，確保長時間穩(wěn)定運行。
　　5. 寬工作溫度范圍：能夠在-55℃至+150℃范圍內正常工作，適應極端環(huán)境條件。
　　6. 可靠性高：符合安森美嚴格的制造標準和質量要求，可靠性強且壽命長。

應用

NSVRB521S30T1G 廣泛應用于以下領域：
　　1. 開關電源(SMPS)：如AC/DC適配器、LED驅動器等，提供高效穩(wěn)定的電源轉換。
　　2. 電機驅動：用于無刷直流電機(BLDC)或其他類型的電機控制，實現精確的速度調節(jié)。
　　3. 工業(yè)控制：包括逆變器、不間斷電源(UPS)和其他工業(yè)自動化設備中的功率管理。
　　4. 汽車電子：如電動車窗、座椅調節(jié)及電池管理系統(tǒng)中的功率級元件。
　　5. 充電器：為手機、筆記本電腦以及其他便攜式設備提供高效的充電解決方案。
　　6. 太陽能微逆變器：幫助將太陽能轉化為可用電力，并優(yōu)化能量轉換效率。