時(shí)間：2025/4/27 16:23:04
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NT5CC256M16ER-EK 是一款由南亞科技（Nanya Technology）生產(chǎn)的 DDR3L SDRAM 內(nèi)存芯片。該芯片采用標(biāo)準(zhǔn)的 FBGA 封裝形式，主要應(yīng)用于對功耗和性能要求較高的電子設(shè)備中，例如筆記本電腦、嵌入式系統(tǒng)以及工業(yè)控制設(shè)備等。DDR3L 是 DDR3 的低電壓版本，工作電壓為 1.35V，相比標(biāo)準(zhǔn) DDR3 的 1.5V 更加節(jié)能。
該芯片具有高帶寬、低延遲和低功耗的特點(diǎn)，同時(shí)支持多種數(shù)據(jù)傳輸速率，包括 800MT/s、1066MT/s 和 1333MT/s 等，能夠滿足主流應(yīng)用的需求。
容量：2Gb
組織方式：256Mb x 16
接口類型：DDR3L
工作電壓：1.35V
數(shù)據(jù)傳輸速率：800MT/s - 1600MT/s
封裝形式：FBGA
引腳數(shù)：96
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
刷新模式：自動刷新、自刷新
突發(fā)長度：4, 8
CAS 延遲：7, 8, 9, 10
NT5CC256M16ER-EK 提供了出色的性能和可靠性，適用于需要高效數(shù)據(jù)處理的應(yīng)用場景。
1. 低功耗設(shè)計(jì)：工作電壓為 1.35V，相較于傳統(tǒng) DDR3 的 1.5V 更節(jié)能，有助于降低設(shè)備的整體功耗。
2. 高帶寬支持：支持高達(dá) 1600MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，確保快速的數(shù)據(jù)交換能力。
3. 多種 CAS 延遲選項(xiàng)：提供從 CL7 到 CL10 的不同延遲設(shè)置，可根據(jù)具體應(yīng)用場景進(jìn)行優(yōu)化。
4. 可靠性強(qiáng)：具備自動刷新和自刷新功能，確保在長時(shí)間運(yùn)行下數(shù)據(jù)的完整性。
5. 寬工作溫度范圍：能夠在 -40°C 至 +85°C 的環(huán)境下穩(wěn)定工作，適應(yīng)各種苛刻的工作條件。
6. FBGA 封裝：這種封裝形式具有良好的電氣性能和散熱能力，適合高密度電路板設(shè)計(jì)。
NT5CC256M16ER-EK 芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 筆記本電腦和超極本：
由于其低功耗特性和高性能，非常適合用于便攜式計(jì)算設(shè)備。
2. 工業(yè)計(jì)算機(jī)：
在工業(yè)自動化和控制領(lǐng)域，這款芯片因其可靠性和寬溫特性而被廣泛使用。
3. 嵌入式系統(tǒng)：
包括網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信模塊和醫(yī)療設(shè)備等，這些領(lǐng)域通常對功耗和性能有嚴(yán)格要求。
4. 游戲機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品：
得益于其高速數(shù)據(jù)傳輸能力和穩(wěn)定性，也常見于多媒體設(shè)備和游戲主機(jī)。
5. 物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備：
在智能硬件和邊緣計(jì)算設(shè)備中，這類內(nèi)存芯片可以提供高效的存儲解決方案。
NT5CC256M16AR-EK
NT5CB256M16BR-EK
NT5CB256M16AR-EK
