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NT5CC256M16ER-EK 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/27 16:23:04 查看 閱讀:57

NT5CC256M16ER-EK 是一款由南亞科技(Nanya Technology)生產(chǎn)的 DDR3L SDRAM 內(nèi)存芯片。該芯片采用標(biāo)準(zhǔn)的 FBGA 封裝形式,主要應(yīng)用于對功耗和性能要求較高的電子設(shè)備中,例如筆記本電腦、嵌入式系統(tǒng)以及工業(yè)控制設(shè)備等。DDR3L 是 DDR3 的低電壓版本,工作電壓為 1.35V,相比標(biāo)準(zhǔn) DDR3 的 1.5V 更加節(jié)能。
  該芯片具有高帶寬、低延遲和低功耗的特點(diǎn),同時(shí)支持多種數(shù)據(jù)傳輸速率,包括 800MT/s、1066MT/s 和 1333MT/s 等,能夠滿足主流應(yīng)用的需求。

參數(shù)

容量:2Gb
  組織方式:256Mb x 16
  接口類型:DDR3L
  工作電壓:1.35V
  數(shù)據(jù)傳輸速率:800MT/s - 1600MT/s
  封裝形式:FBGA
  引腳數(shù):96
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  刷新模式:自動刷新、自刷新
  突發(fā)長度:4, 8
  CAS 延遲:7, 8, 9, 10

特性

NT5CC256M16ER-EK 提供了出色的性能和可靠性,適用于需要高效數(shù)據(jù)處理的應(yīng)用場景。
  1. 低功耗設(shè)計(jì):工作電壓為 1.35V,相較于傳統(tǒng) DDR3 的 1.5V 更節(jié)能,有助于降低設(shè)備的整體功耗。
  2. 高帶寬支持:支持高達(dá) 1600MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率,確保快速的數(shù)據(jù)交換能力。
  3. 多種 CAS 延遲選項(xiàng):提供從 CL7 到 CL10 的不同延遲設(shè)置,可根據(jù)具體應(yīng)用場景進(jìn)行優(yōu)化。
  4. 可靠性強(qiáng):具備自動刷新和自刷新功能,確保在長時(shí)間運(yùn)行下數(shù)據(jù)的完整性。
  5. 寬工作溫度范圍:能夠在 -40°C 至 +85°C 的環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應(yīng)各種苛刻的工作條件。
  6. FBGA 封裝:這種封裝形式具有良好的電氣性能和散熱能力,適合高密度電路板設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

NT5CC256M16ER-EK 芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 筆記本電腦和超極本:
  由于其低功耗特性和高性能,非常適合用于便攜式計(jì)算設(shè)備。
  2. 工業(yè)計(jì)算機(jī):
  在工業(yè)自動化和控制領(lǐng)域,這款芯片因其可靠性和寬溫特性而被廣泛使用。
  3. 嵌入式系統(tǒng):
  包括網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信模塊和醫(yī)療設(shè)備等,這些領(lǐng)域通常對功耗和性能有嚴(yán)格要求。
  4. 游戲機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品:
  得益于其高速數(shù)據(jù)傳輸能力和穩(wěn)定性,也常見于多媒體設(shè)備和游戲主機(jī)。
  5. 物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備:
  在智能硬件和邊緣計(jì)算設(shè)備中,這類內(nèi)存芯片可以提供高效的存儲解決方案。

替代型號

NT5CC256M16AR-EK
  NT5CB256M16BR-EK
  NT5CB256M16AR-EK

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