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NTA4151PT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/4/12 10:59:04 查看 閱讀：679

NTA4151PT1G參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)：20(min)

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)：360

最大漏極電流Id(on)(A)：0.760

通道極性：P溝道

封裝/溫度(℃)：SC-75/-55 ~150

描述：小信號(hào)p溝道-20 V, -760 mA  MOSFET 帶ESD保護(hù)

資料

廠商
ON Semiconductor

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
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  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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nta4151pt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C760mA
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C360 毫歐 @ 350mA，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）450mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs2.1nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds156pF @ 5V
  • 功率 - 最大301mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-75，SOT-416
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-75，SOT-416
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTA4151PT1GOSTR