NTB5605PG是一種高性能的MOSFET功率晶體�,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該器件廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用中�
NTB5605PG的特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和良好的熱性能,使其成為多種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的理想選擇�
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�80A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
柵極電荷(Qg)�79nC
總功�(Ptot)�175W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C to 175°C
封裝形式:TO-247
NTB5605PG是一款專(zhuān)門(mén)�(shè)�(jì)用于大電流應(yīng)用的增強(qiáng)型N通道功率MOSFET,其主要特性如下:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了在高電流操作�(shí)較低的功率損�,從而提高了整體效率�
2. 高額定電流能力使它適合各種大功率�(yīng)用場(chǎng)��
3. 具備�(yōu)秀的開(kāi)�(guān)性能,可快速切換狀�(tài)以減少開(kāi)�(guān)損��
4. 封裝形式為標(biāo)�(zhǔn)TO-247,具有良好的散熱能力和機(jī)械強(qiáng)度�
5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行需��
這些特性使得NTB5605PG在汽�(chē)電子、工�(yè)�(shè)備及家用電器�(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用價(jià)��
NTB5605PG適用于以下典型應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電�(jī)��
4. 大功率負(fù)載控�,如LED�(qū)�(dòng)、加熱元件控制等�
5. 在電池管理系�(tǒng)(BMS)中作為保護(hù)�(kāi)�(guān)或充放電控制�(kāi)�(guān)使用�
由于其出色的電氣性能和可靠性,NTB5605PG能夠�(mǎn)足現(xiàn)代電子系�(tǒng)�(duì)高效、緊湊設(shè)�(jì)的需��
NTB5605NPG, IRF540N, FDP55N60