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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTB5605PG

NTB5605PG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 19:02:29 查看 閱讀�20

NTB5605PG是一種高性能的MOSFET功率晶體�,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該器件廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用中�
  NTB5605PG的特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和良好的熱性能,使其成為多種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的理想選擇�

參數(shù)

�(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�80A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�79nC
  總功�(Ptot)�175W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C to 175°C
  封裝形式:TO-247

特�

NTB5605PG是一款專(zhuān)門(mén)�(shè)�(jì)用于大電流應(yīng)用的增強(qiáng)型N通道功率MOSFET,其主要特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了在高電流操作�(shí)較低的功率損�,從而提高了整體效率�
  2. 高額定電流能力使它適合各種大功率�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 具備�(yōu)秀的開(kāi)�(guān)性能,可快速切換狀�(tài)以減少開(kāi)�(guān)損��
  4. 封裝形式為標(biāo)�(zhǔn)TO-247,具有良好的散熱能力和機(jī)械強(qiáng)度�
  5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行需��
  這些特性使得NTB5605PG在汽�(chē)電子、工�(yè)�(shè)備及家用電器�(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用價(jià)��

�(yīng)�

NTB5605PG適用于以下典型應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電�(jī)��
  4. 大功率負(fù)載控�,如LED�(qū)�(dòng)、加熱元件控制等�
  5. 在電池管理系�(tǒng)(BMS)中作為保護(hù)�(kāi)�(guān)或充放電控制�(kāi)�(guān)使用�
  由于其出色的電氣性能和可靠性,NTB5605PG能夠�(mǎn)足現(xiàn)代電子系�(tǒng)�(duì)高效、緊湊設(shè)�(jì)的需��

替代型號(hào)

NTB5605NPG, IRF540N, FDP55N60

ntb5605pg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ntb5605pg參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫歐 @ 8.5A�5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 25V
  • 功率 - 最�88W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線(xiàn)+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝管件