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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTD110N02RT4G

NTD110N02RT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/11 9:51:40 查看 閱讀�894

NTD110N02RT4G技�(shù)參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�24

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�4.600

最大漏極電流Id(on)(A)�110

通道極性:N溝道

封裝/溫度(�):DPAK 4/-55 ~150

描述�24 V, 110 A功率MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

ntd110n02rt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntd110n02rt4g資料 更多>

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ntd110n02rt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)24V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs28nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3440pF @ 20V
  • 功率 - 最�1.5W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NTD110N02RT4GOSNTD110N02RT4GOS-NDNTD110N02RT4GOSTR