NTD20N03L27T4-UDU 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,屬于超低導通電阻的邏輯電平�(qū)動器�。該型號采用 TO-263(DPAK)封裝形式,廣泛應用于開關電�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關等場景。其�(yōu)化的設計使其具備極低的導通電阻以及良好的開關性能,適合高頻應用環(huán)��
這款 MOSFET 通過降低導通損耗和開關損耗,顯著提升了系�(tǒng)的整體效�,同時其緊湊的封裝形式有助于減少 PCB 占用空間�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷�9nC
輸入電容�1500pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
總功耗:38W
NTD20N03L27T4-UDU 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少導通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 較小的柵極電� (Qg),可以實�(xiàn)更快的開關速度和更低的開關損耗�
3. 支持邏輯電平�(qū)�,便于與大多�(shù)微控制器和驅(qū)動電路直接連接�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
5. 適用于高頻開關應�,具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和電氣性能�
6. DPAK 封裝形式提供了高效的散熱路徑,能夠支持大電流操作�
� MOSFET 主要應用于以下領域:
1. 開關電源中的同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,例如降壓或升壓�(zhuǎn)換器�
3. 電機�(qū)動和控制電路�
4. 負載開關和保護電��
5. LED �(qū)動器和電池管理系�(tǒng)�
由于其低導通電阻和高效性能,NTD20N03L27T4-UDU 特別適合需要高效率和高可靠性的應用場合�
NTD20N03L, IRLZ44N, FDN367P