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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTD25P03LT4G

NTD25P03LT4G 發(fā)布時間 時間�2023/4/12 11:17:33 查看 閱讀�736

NTD25P03LT4G技�(shù)參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�30

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�72

最大漏極電流Id(on)(A)�25

通道極性:P溝道

封裝/溫度(�):DPAK 4/-55 ~150

描述�-25 A, -30 V功率MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

ntd25p03lt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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ntd25p03lt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 25A�5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1260pF @ 25V
  • 功率 - 最�75W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTD25P03LT4GOSNTD25P03LT4GOS-NDNTD25P03LT4GOSTR