NTD2955T4G是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,采用TO-263-3封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于各種高效能功率�(zhuǎn)換應用。其主要應用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�8.7A
導通電阻:0.018Ω
總功耗:40W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
NTD2955T4G的導通電阻較�,能夠有效減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
該器件具備快速開�(guān)能力,可降低開關(guān)損耗,非常適合高頻應用�
其采用TO-263-3封裝,便于散熱設�,同時提供可靠的電氣性能�
由于其耐熱能力和較高的電流處理能力,適用于較為嚴苛的工作環(huán)��
此外,它還擁有良好的抗靜電能�,提升了器件在實際使用中的穩(wěn)定��
NTD2955T4G廣泛應用于開�(guān)模式電源(SMPS)中作為功率開�(guān)�
它可以用于電機驅(qū)動電路中,實�(xiàn)對電機的有效控制�
在負載開�(guān)應用�,該MOSFET能夠提供低損耗的導通路��
此外,在各類DC-DC�(zhuǎn)換器設計�,NTD2955T4G可以作為主開�(guān)或同步整流器件使��
NTD2955N4G
IRF540N
FDP16N60