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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTD2955T4G

NTD2955T4G 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 16:21:11 查看 閱讀�23

NTD2955T4G是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,采用TO-263-3封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于各種高效能功率�(zhuǎn)換應用。其主要應用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�8.7A
  導通電阻:0.018Ω
  總功耗:40W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�

特�

NTD2955T4G的導通電阻較�,能夠有效減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  該器件具備快速開�(guān)能力,可降低開關(guān)損耗,非常適合高頻應用�
  其采用TO-263-3封裝,便于散熱設�,同時提供可靠的電氣性能�
  由于其耐熱能力和較高的電流處理能力,適用于較為嚴苛的工作環(huán)��
  此外,它還擁有良好的抗靜電能�,提升了器件在實際使用中的穩(wěn)定��

應用

NTD2955T4G廣泛應用于開�(guān)模式電源(SMPS)中作為功率開�(guān)�
  它可以用于電機驅(qū)動電路中,實�(xiàn)對電機的有效控制�
  在負載開�(guān)應用�,該MOSFET能夠提供低損耗的導通路��
  此外,在各類DC-DC�(zhuǎn)換器設計�,NTD2955T4G可以作為主開�(guān)或同步整流器件使��

替代型號

NTD2955N4G
  IRF540N
  FDP16N60

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ntd2955t4g參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds750pF @ 25V
  • 功率 - 最�55W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTD2955T4GOSTR