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NTD3055L104-1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/10/31 9:50:47 查看 閱讀：187

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：MOSFET，GaNFET - 單
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：104 毫歐 @ 6A, 5V
漏極至源極電壓(Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：12A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：440pF @ 25V
功率 - 最大：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引線 + 接片)
包裝：管件
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak
其它名稱：NTD3055L104-1G-NDNTD3055L104-1GOS

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ntd3055l104-1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝75
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C104 毫歐 @ 6A，5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝I-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱NTD3055L104-1G-NDNTD3055L104-1GOS