NTD3055L170G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管,采用TO-263封裝形式。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,適用于多種功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。其主要特點(diǎn)是高效率、快速開關(guān)特性和較強(qiáng)的耐用性。
這款MOSFET通常用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)控制和電源管理等場景中,能夠在高頻開關(guān)條件下提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)。
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流:94A
導(dǎo)通電阻:3.8mΩ
總功耗:145W
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
3. 快速開關(guān)速度,減少了開關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用。
4. 小型表面貼裝封裝,便于自動化生產(chǎn)和節(jié)省PCB空間。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)規(guī)范要求。
6. 支持高溫操作,適應(yīng)嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器
3. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路
4. 電池管理系統(tǒng)
5. 電機(jī)驅(qū)動與控制
6. 工業(yè)及汽車電子中的功率管理模塊
IRF3205, FDP55N20, AO3400