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NTD32N06LG 發(fā)布時間 時間:2025/5/31 1:31:42 查看 閱讀:7

NTD32N06LG 是一款 N 溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),屬于低電壓應(yīng)用領(lǐng)域中的高性能器件。該 MOSFET 具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,非常適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動以及電源管理等應(yīng)用。其封裝形式通常為 TO-252(DPAK),能夠提供良好的散熱性能。
  這款 MOSFET 的設(shè)計目標是滿足高效率和緊湊型解決方案的需求,廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)設(shè)備和通信產(chǎn)品中。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):32A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):12mΩ(典型值,Vgs=10V)
  總功耗(Ptot):2.1W
  結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝:TO-252(DPAK)

特性

NTD32N06LG 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高電流處理能力(32A),使其適用于大功率應(yīng)用場景。
  3. 快速開關(guān)速度,減少了開關(guān)損耗,適合高頻操作環(huán)境。
  4. 強大的雪崩能力和抗靜電能力(ESD),提升了器件的可靠性和耐用性。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合現(xiàn)代制造工藝需求。
  6. 小型化的封裝設(shè)計,在保證性能的同時節(jié)省了 PCB 空間。

應(yīng)用

NTD32N06LG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
  2. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)和保護電路。
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機控制和驅(qū)動。
  4. LED 驅(qū)動電路和背光控制。
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理和保護功能。
  6. 通信設(shè)備中的信號切換和功率分配。

替代型號

NTD32N06L, IRLZ44N, FDN368P

ntd32n06lg推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntd32n06lg參數(shù)

  • 標準包裝75
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C32A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫歐 @ 16A,5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs50nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝DPAK-3
  • 包裝管件