NTD32N06LT4G是一款由ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用Trench技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景中。其封裝形式為TO-263(D2PAK),適合表面貼裝工藝,能夠滿足多種工業(yè)、消費(fèi)類和汽車電子應(yīng)用需求。
NTD32N06LT4G的最大漏源電壓為60V,連續(xù)漏極電流可達(dá)32A,適用于各種高功率密度的設(shè)計(jì)場(chǎng)合。由于其較低的柵極電荷和輸出電容,使得該MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:32A
導(dǎo)通電阻(典型值):4.5mΩ
柵極電荷(典型值):13nC
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-263(D2PAK)
NTD32N06LT4G具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功耗。
2. 高效的開(kāi)關(guān)性能,得益于其優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)。
3. 能夠承受較高的瞬態(tài)電壓和電流沖擊,提高了器件的可靠性。
4. 寬泛的工作溫度范圍,使其適合于惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求。
此外,該MOSFET采用了先進(jìn)的Trench技術(shù),進(jìn)一步降低了導(dǎo)通損耗并提升了整體效率。這些特點(diǎn)使其成為高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用的理想選擇。
NTD32N06LT4G適用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電路。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)或續(xù)流二極管替代方案。
3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包括無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)控制。
4. 汽車電子系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng)(BMS)、啟動(dòng)馬達(dá)控制及車載充電設(shè)備。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)功能。
憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,NTD32N06LT4G能夠在高功率密度的應(yīng)用環(huán)境中提供可靠的解決方案。
NTD30N06L, IRF3205, FDP32N06L