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NTD32N06LT4G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/9 12:25:52 查看 閱讀：28

NTD32N06LT4G是一款由ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用Trench技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)的場(chǎng)景中。其封裝形式為TO-263（D2PAK），適合表面貼裝工藝，能夠滿足多種工業(yè)、消費(fèi)類和汽車電子應(yīng)用需求。
　　NTD32N06LT4G的最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達(dá)32A，適用于各種高功率密度的設(shè)計(jì)場(chǎng)合。由于其較低的柵極電荷和輸出電容，使得該MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：32A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：4.5mΩ
　　柵極電荷（典型值）：13nC
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-263（D2PAK）

特性

NTD32N06LT4G具備以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠在高電流條件下減少功耗。
　　2. 高效的開(kāi)關(guān)性能，得益于其優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)。
　　3. 能夠承受較高的瞬態(tài)電壓和電流沖擊，提高了器件的可靠性。
　　4. 寬泛的工作溫度范圍，使其適合于惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求。
　　此外，該MOSFET采用了先進(jìn)的Trench技術(shù)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通損耗并提升了整體效率。這些特點(diǎn)使其成為高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

NTD32N06LT4G適用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的同步整流電路。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)或續(xù)流二極管替代方案。
　　3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）控制。
　　4. 汽車電子系統(tǒng)，如電池管理系統(tǒng)（BMS）、啟動(dòng)馬達(dá)控制及車載充電設(shè)備。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)功能。
　　憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，NTD32N06LT4G能夠在高功率密度的應(yīng)用環(huán)境中提供可靠的解決方案。

替代型號(hào)

NTD30N06L, IRF3205, FDP32N06L

ntd32n06lt4g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntd32n06lt4g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C32A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C28 毫歐 @ 16A，5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs50nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTD32N06LT4GOS