NTD40N03R是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用TO-252封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠滿足各種功率轉(zhuǎn)換需��
該MOSFET適用于要求高效能和低功耗的電路�(shè)計場景,其卓越的電氣性能使其成為許多工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻(典型值)�6.5mΩ
柵極電荷�19nC
開關(guān)時間:ton=17ns, toff=18ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
NTD40N03R具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低功率損��
2. 快速開�(guān)能力,有助于提升系統(tǒng)效率�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性�
4. 小型化TO-252封裝,節(jié)省PCB空間并簡化散熱設(shè)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
該MOSFET適合用于以下�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源中的功率�(zhuǎn)換級控制�
2. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載切��
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率輸出級�
4. 各類DC/DC�(zhuǎn)換器及逆變器的�(shè)��
5. 其他需要高性能開關(guān)器件的領(lǐng)��
IRFZ44N
STP40NF03L
FDP55N06