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NTD4809NH-35G 發(fā)布時間 時間:2023/10/31 9:51:17 查看 閱讀:309

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:9A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :2155pF @ 12V
功率 - 最大:1.3W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:IPak, TO-251, DPak (3 直短引線 + 接片)
包裝:管件
供應(yīng)商設(shè)備封裝:I-Pak

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ntd4809nh-35g產(chǎn)品

ntd4809nh-35g參數(shù)

  • 標準包裝75
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 30A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2155pF @ 12V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 短截引線,IPak
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝I-Pak
  • 包裝管件