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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTD4813NT4G

NTD4813NT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/11/9 17:09:16 查看 閱讀�207

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�13 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�7.6A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�7.9nC @ 4.5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �860pF @ 12V
功率 - 最大:1.27W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak

ntd4813nt4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntd4813nt4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.6A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫歐 @ 30A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.9nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds860pF @ 12V
  • 功率 - 最�1.27W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)