時間：2025/4/29 12:18:13
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NTD4860NT4G 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET，由 ON Semiconductor（安森美半導體）生產。該器件采用 TO-263-3 封裝形式，廣泛用于需要高效率、低導通電阻的開關應用中。這種 MOSFET 具有出色的開關性能和較低的導通損耗，適用于 DC-DC 轉換器、負載開關、電機控制以及電源管理等場景。
其設計目標是滿足現代電子設備對高效能和小型化的需求，同時保持較高的可靠性和耐用性。
最大漏源電壓：55V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：19A
導通電阻（Rds(on)）：17mΩ
總功耗：115W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-263-3
NTD4860NT4G 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 較高的連續(xù)漏極電流能力，使其能夠適應大功率應用場景。
3. 快速開關速度，減少了開關損耗。
4. 高雪崩能量能力，增強了器件在異常條件下的可靠性。
5. 寬工作溫度范圍，適合惡劣環(huán)境中的應用。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且易于集成到現代化設計中。
這些特點使得 NTD4860NT4G 成為工業(yè)、汽車和消費類應用的理想選擇。
NTD4860NT4G 主要應用于以下領域：
1. 開關模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中的功率開關。
2. 電池保護電路及負載開關。
3. 各種電機驅動和控制應用。
4. 電信設備中的電源管理模塊。
5. 工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)的功率級組件。
由于其優(yōu)異的電氣特性和穩(wěn)定性，該器件特別適合要求高性能和高可靠性的場合。
NTD4860N, IRFZ44N, FDP5570N
