NTD4860NT4G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,由 ON Semiconductor(安森美半導體)生產。該器件采用 TO-263-3 封裝形式,廣泛用于需要高效率、低導通電阻的開關應用中。這種 MOSFET 具有出色的開關性能和較低的導通損�,適用于 DC-DC 轉換�、負載開關、電機控制以及電源管理等場景�
其設計目標是滿足現代電子設備對高效能和小型化的需�,同時保持較高的可靠性和耐用��
最大漏源電壓:55V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�19A
導通電阻(Rds(on)):17mΩ
總功耗:115W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263-3
NTD4860NT4G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 較高的連續(xù)漏極電流能力,使其能夠適應大功率應用場景�
3. 快速開關速度,減少了開關損��
4. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的可靠性�
5. 寬工作溫度范�,適合惡劣環(huán)境中的應用�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現代化設計��
這些特點使得 NTD4860NT4G 成為工業(yè)、汽車和消費類應用的理想選擇�
NTD4860NT4G 主要應用于以下領域:
1. 開關模式電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率開關�
2. 電池保護電路及負載開��
3. 各種電機驅動和控制應��
4. 電信設備中的電源管理模塊�
5. 工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)的功率級組件�
由于其優(yōu)異的電氣特性和�(wěn)定�,該器件特別適合要求高性能和高可靠性的場合�
NTD4860N, IRFZ44N, FDP5570N