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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NTD4860NT4G

NTD4860NT4G 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 12:18:13 查看 閱讀�27

NTD4860NT4G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,由 ON Semiconductor(安森美半導體)生產。該器件采用 TO-263-3 封裝形式,廣泛用于需要高效率、低導通電阻的開關應用中。這種 MOSFET 具有出色的開關性能和較低的導通損�,適用于 DC-DC 轉換�、負載開關、電機控制以及電源管理等場景�
  其設計目標是滿足現代電子設備對高效能和小型化的需�,同時保持較高的可靠性和耐用��

參數

最大漏源電壓:55V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�19A
  導通電阻(Rds(on)):17mΩ
  總功耗:115W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263-3

特�

NTD4860NT4G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 較高的連續(xù)漏極電流能力,使其能夠適應大功率應用場景�
  3. 快速開關速度,減少了開關損��
  4. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的可靠性�
  5. 寬工作溫度范�,適合惡劣環(huán)境中的應用�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現代化設計��
  這些特點使得 NTD4860NT4G 成為工業(yè)、汽車和消費類應用的理想選擇�

應用

NTD4860NT4G 主要應用于以下領域:
  1. 開關模式電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的功率開關�
  2. 電池保護電路及負載開��
  3. 各種電機驅動和控制應��
  4. 電信設備中的電源管理模塊�
  5. 工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)的功率級組件�
  由于其優(yōu)異的電氣特性和�(wěn)定�,該器件特別適合要求高性能和高可靠性的場合�

替代型號

NTD4860N, IRFZ44N, FDP5570N

ntd4860nt4g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntd4860nt4g參數

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs16.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1308pF @ 12V
  • 功率 - 最�1.28W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)