NTD4969NT4G 是一� N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�,采� TO-263 封裝形式。該器件具有低導通電�、快速開關速度以及高擊穿電壓的特點,適用于多種功率轉換和電機驅動應�。其典型應用場景包括 DC-DC 轉換�、負載開�、電源管理模塊等�
� MOSFET 的設計目標是提高效率并降低功�,非常適合于需要高性能和可靠性的工業(yè)及消費類電子產品��
型號:NTD4969NT4G
封裝:TO-263
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導通電阻,典型值)�4.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):67A
Bvdss(擊穿電壓)�60V
Qg(總柵極電荷):41nC
Ciss(輸入電容)�3880pF
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2V~4V
Tj(結溫范圍)�-55℃~175�
NTD4969NT4G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� Rds(on),有助于減少導通損耗并提高整體效率�
2. 高額定電� Id 和擊穿電� Bvdss,使其能夠承受較大的負載條件�
3. 快速的開關性能,得益于較小的總柵極電荷 Qg 和優(yōu)化的內部結構設計�
4. 寬廣的工作溫度范� Tj,適應各種嚴苛環(huán)境下的應用需求�
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保且適合長期使用�
這些特性共同確保了� MOSFET 在高功率密度應用中的�(yōu)異表�(xiàn)�
NTD4969NT4G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)設計中的功率級控制�
2. 電機驅動電路中的橋式配置或半橋驅��
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切��
4. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換模塊�
5. 電信和網(wǎng)絡設備中的高效電源管理方��
6. 各種便攜式電子設備中的直�-直流轉換��
其強大的電流處理能力和高效的工作特性使其成為許多高要求應用的理想選��
NTD4968N3, NTD4967NT4G