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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTD5406NG

NTD5406NG 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 16:31:18 查看 閱讀�9

NTD5406NG是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于功率開關和負載控制領�。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導通電�、高電流處理能力和快速開關速度的特�。NTD5406NG適用于各種需要高效功率轉換和低損耗的應用場景�
  這種MOSFET的主要用途包括DC-DC轉換�、電機驅動、負載開�、電源管理和保護電路等。其封裝形式為TO-220,具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�18A
  導通電阻(典型值)�27mΩ
  總功耗:115W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  存儲溫度范圍�-55℃至+150�
  柵極電荷�38nC
  反向恢復時間�40ns

特�

NTD5406NG具有以下主要特性:
  1. 低導通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開關特性,適合高頻應用�
  3. 高雪崩能力,增強了在異常情況下的魯棒��
  4. 較小的柵極電荷和輸出電容,有助于降低驅動功��
  5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�

應用

NTD5406NG適用于多種工�(yè)和消費電子領�,主要包括:
  1. 開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器中的功率開��
  2. 電池保護電路和負載切��
  3. 各類電機驅動和控制應��
  4. 通信設備中的信號調節(jié)和功率管��
  5. 汽車電子中的繼電器替代和功率分配�
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��

替代型號

NTD5406N, IRF540N, FDP5406

ntd5406ng推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntd5406ng參數(shù)

  • 標準包裝75
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C70A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 32V
  • 功率 - 最�100W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝管件