NTD5406NG是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于功率開關和負載控制領�。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導通電�、高電流處理能力和快速開關速度的特�。NTD5406NG適用于各種需要高效功率轉換和低損耗的應用場景�
這種MOSFET的主要用途包括DC-DC轉換�、電機驅動、負載開�、電源管理和保護電路等。其封裝形式為TO-220,具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻(典型值)�27mΩ
總功耗:115W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
存儲溫度范圍�-55℃至+150�
柵極電荷�38nC
反向恢復時間�40ns
NTD5406NG具有以下主要特性:
1. 低導通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開關特性,適合高頻應用�
3. 高雪崩能力,增強了在異常情況下的魯棒��
4. 較小的柵極電荷和輸出電容,有助于降低驅動功��
5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�
NTD5406NG適用于多種工�(yè)和消費電子領�,主要包括:
1. 開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器中的功率開��
2. 電池保護電路和負載切��
3. 各類電機驅動和控制應��
4. 通信設備中的信號調節(jié)和功率管��
5. 汽車電子中的繼電器替代和功率分配�
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
NTD5406N, IRF540N, FDP5406