NTD6416ANLT4G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采用邏輯電平驅(qū)動設(shè)計,適用于高頻開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高效率并降低功��
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝工�,廣泛應(yīng)用于消費電子、通信�(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
總柵極電荷:39nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � 175�
NTD6416ANLT4G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠在高電流條件下保持較低的功��
2. 高雪崩能�,提供更強的瞬態(tài)保護功能�
3. 快速開�(guān)性能,減少開�(guān)損�,提升系�(tǒng)效率�
4. 支持邏輯電平�(qū)�,可直接與微控制器或邏輯電路配合使用�
5. 寬泛的工作溫度范�,適用于惡劣�(huán)境下的應(yīng)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
這款 MOSFET 可用于多種電力電子場�,例如:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載切換�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊�
6. 便攜式電子設(shè)備中的高效能量轉(zhuǎn)��
NTD6416NLT4G, FDP5502, IRF7739TRPBF