NTD6416ANT4G是一款N溝道增強型MOSFET,由ON Semiconductor(現(xiàn)為安森美半導體)生產(chǎn)。該器件采用先進的制造工藝設計,旨在提供高效率和低導通電阻的特�,適用于各種功率轉換和開關應�。其封裝形式為TO-263-3(DPAK�,具有出色的散熱性能和易于安裝的特點�
NTD6416ANT4G的工作電壓范圍較廣,支持高達60V的漏源極電壓,同時具備低�0.0058Ω的最大導通電阻(在Vgs=10V時)。這些特點使其非常適合用于負載開關、同步整�、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景�
最大漏源極電壓�60V
最大柵源極電壓:�20V
連續(xù)漏極電流�37A
導通電阻(Rds(on)):0.0058Ω(Vgs=10V時)
柵極電荷�49nC
輸入電容�2260pF
總功耗:173W
工作溫度范圍�-55℃至175�
1. 高效率:
NTD6416ANT4G具有非常低的導通電�,可顯著降低導通損耗,從而提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高可靠性:
該器件采用了先進的半導體技術制造,能夠在極端溫度范圍內�(wěn)定運�,并且具備較高的抗浪涌能��
3. �(yōu)異的熱性能�
其TO-263-3封裝設計提供了良好的散熱路徑,確保在高功率應用中也能保持較低的結��
4. 快速開關:
較小的柵極電荷使得該MOSFET能夠實現(xiàn)快速開�,減少開關損��
5. 寬工作電壓:
支持高達60V的漏源極電壓,適用于多種電源管理應用場景�
1. 負載開關�
由于其低導通電阻和高電流承載能�,NTD6416ANT4G非常適合用作負載開關,在需要頻繁開啟或關閉電路的應用中表現(xiàn)�(yōu)��
2. 同步整流�
在開關電源和DC-DC轉換器中,該MOSFET可以用作同步整流管以替代肖特基二極管,從而提高效率并降低�(fā)熱�
3. 電機驅動�
這款MOSFET可以用來驅動小型直流電機或步進電�,滿足高性能要求的同時保持較低的成本�
4. 電池保護�
在便攜式電子設備�,NTD6416ANT4G可用于電池組的過流保護電�,確保電池的安全使用�
NTD6416NPT1G
IRFZ44N
FDP55N06L