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NTE4153NT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/4/12 11:00:43 查看 閱讀：733

NTE4153NT1G技術(shù)參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)：20

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)：230

最大漏極電流Id(on)(A)：0.915

通道極性：N溝道

封裝/溫度(℃)：SC-89/-55 ~150

描述：20 V,915 mA,功率MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

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nte4153nt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C915mA
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C230 毫歐 @ 600mA，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs1.82nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds110pF @ 16V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-89，SOT-490
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-89-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTE4153NT1GOSTR