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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTE4153NT1G

NTE4153NT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/12 11:00:43 查看 閱讀�733

NTE4153NT1G技�(shù)參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�20

源漏極最大導(dǎo)�電阻rDS(on)(mΩ)�230

最大漏極電流Id(on)(A)�0.915

通道極性:N溝道

封裝/溫度(�):SC-89/-55 ~150

描述�20 V,915 mA,功率MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

nte4153nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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nte4153nt1g資料 更多>

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nte4153nt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C915mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫歐 @ 600mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs1.82nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds110pF @ 16V
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-89,SOT-490
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-89-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTE4153NT1GOSTR