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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTF3055-100T1G

NTF3055-100T1G 發(fā)布時間 時間�2023/4/17 10:48:55 查看 閱讀�411

描述�3.0 A, 60 V功率MOSFET

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�60

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�100

最大漏極電流Id(on)(A)�

通道極性:N溝道

封裝/溫度(�):SOT-223/-55 ~150


資料

廠商
ON Semiconductor

ntf3055-100t1g推薦供應(yīng)� 更多>

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ntf3055-100t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫歐 @ 1.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds455pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTF3055-100T1GOSNTF3055-100T1GOS-NDNTF3055-100T1GOSTR