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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTF3055L108T1G

NTF3055L108T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 21:57:19 查看 閱讀�9

NTF3055L108T1G 是一� N 溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET�,由 ON Semiconductor 公司生產(chǎn)。該器件采用 TO-263 封裝形式,適合用于高效率、低功耗的�(kāi)�(guān)�(yīng)�。其�(shè)�(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類工業(yè)電子�(shè)備中�
  NTF3055L108T1G 的主要特�(diǎn)是具有較高的電流承載能力,同�(shí)具備出色的熱性能,這使其在各種功率�(zhuǎn)換電路中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�58A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  總功耗:170W
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263

特�

NTF3055L108T1G 提供了多種優(yōu)異的性能特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,從而提高系�(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,適用于需要大電流輸出的應(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 快速開(kāi)�(guān)特�,支持高頻操�,減少開(kāi)�(guān)損��
  4. �(qiáng)大的散熱能力,得益于 TO-263 封裝形式,可有效將熱量傳遞到散熱��
  5. 寬廣的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)行�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要求�

�(yīng)�

NTF3055L108T1G 可用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器或主�(kāi)�(guān)��
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  5. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路�
  6. 各類 DC/DC �(zhuǎn)換器模塊�

替代型號(hào)

NTMFS4C620N, IRF540N, FDP55N06L

ntf3055l108t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntf3055l108t1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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ntf3055l108t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 1.5A�5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTF3055L108T1GOSTR