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NTGD3148NT1G 發(fā)布時間 時間�2023/4/13 10:40:44 查看 閱讀�627

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

家庭:MOSFETs - 陣列

FET 型:2 � N 溝道(雙�

FET 特點:邏輯電平門

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�70 毫歐 @ 3.5A, 4.5V

漏極至源極電�(Vdss)�20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�3A

Id 時的 Vgs(th)(最大)�1.5V @ 250μA

閘電�(Qg) @ Vgs�3.8nC @ 4.5V

� Vds 時的輸入電容(Ciss) �300pF @ 10V

功率 - 最大:900mW

安裝類型:表面貼�

封裝/外殼:SC-74-6

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TSOP

資料

廠商
ON Semiconductor

ntgd3148nt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntgd3148nt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 3.5A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds300pF @ 10V
  • 功率 - 最�900mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTGD3148NT1G-NDNTGD3148NT1GOSTR