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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NTGS3441T1G

NTGS3441T1G 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 18:41:20 查看 閱讀�5

NTGS3441T1G 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由 ON Semiconductor 公司生產。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、快速開關速度和高效率等特性,適用于各種功率轉換應�。其封裝形式� TO-263 (D2PAK),適合表面貼裝技術(SMT�,并提供出色的散熱性能�
  該器件廣泛用� DC-DC 轉換�、電機驅動、負載開關和其他需要高效功率管理的場景�

參數

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�45A
  導通電阻:1.7mΩ
  柵極電荷�45nC
  輸入電容�2900pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

NTGS3441T1G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on))在典型條件下僅� 1.7mΩ,能夠顯著降低傳導損��
  2. 快速開關能�,支持高頻應�,減少開關損��
  3. 高額定電流(高達 45A),適用于大功率系統(tǒng)�
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛設計�
  5. 提供卓越的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度范圍內運行�
  6. 表面貼裝封裝(TO-263�,易于集成到現代電路板設計中�

應用

NTGS3441T1G 適用于以下應用場景:
  1. 工業(yè)設備中的 DC-DC 轉換��
  2. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉向(EPS�、制動系�(tǒng)和電池管理系�(tǒng)�
  3. 通信電源模塊,如服務器電源和基站電源�
  4. 大功率電機驅�,例如家用電器和工業(yè)自動化�
  5. 開關模式電源(SMPS)和負載開關�
  6. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和功率調節(jié)單元�

替代型號

NTGS3438T1G
  IRFP2907ZPBF
  FDP17N50C
  STP10NK60Z

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ntgs3441t1g參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.65A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 3.3A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds480pF @ 5V
  • 功率 - 最�500mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74,SOT-457
  • 供應商設備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTGS3441T1GOSTR