NTGS3441T1G 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由 ON Semiconductor 公司生產。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、快速開關速度和高效率等特性,適用于各種功率轉換應�。其封裝形式� TO-263 (D2PAK),適合表面貼裝技術(SMT�,并提供出色的散熱性能�
該器件廣泛用� DC-DC 轉換�、電機驅動、負載開關和其他需要高效功率管理的場景�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
導通電阻:1.7mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�2900pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
NTGS3441T1G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on))在典型條件下僅� 1.7mΩ,能夠顯著降低傳導損��
2. 快速開關能�,支持高頻應�,減少開關損��
3. 高額定電流(高達 45A),適用于大功率系統(tǒng)�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛設計�
5. 提供卓越的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度范圍內運行�
6. 表面貼裝封裝(TO-263�,易于集成到現代電路板設計中�
NTGS3441T1G 適用于以下應用場景:
1. 工業(yè)設備中的 DC-DC 轉換��
2. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉向(EPS�、制動系�(tǒng)和電池管理系�(tǒng)�
3. 通信電源模塊,如服務器電源和基站電源�
4. 大功率電機驅�,例如家用電器和工業(yè)自動化�
5. 開關模式電源(SMPS)和負載開關�
6. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和功率調節(jié)單元�
NTGS3438T1G
IRFP2907ZPBF
FDP17N50C
STP10NK60Z