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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTHD3101FT3

NTHD3101FT3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/11/6 17:45:00 查看 閱讀�213

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

目錄

概述

制造商:ONSemiconductor
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)
RoHS:否
配置:SingleDualDrain
晶體管極性:NandP-Channel
電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�0.077Ohms/0.085Ohms
正向跨導(dǎo)gFS(最大�/最小值)�6S,8S
汲極/源極擊穿電壓�20V,-20V
�/源擊穿電壓:+/-12V,+/-8V
漏極連續(xù)電流�3.9A,-4.4A
功率耗散�1.1W
最大工作溫度:+150

安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:ChipFET-8
封裝:Reel
最小工作溫度:-55

nthd3101ft3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nthd3101ft3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝10,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)二極管(隔離式)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 3.2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds680pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ChipFET?
  • 包裝帶卷 (TR)