NTHD4102PT1G 是一款由 Nexperia(原飛利浦半導體事業(yè)部)生產的高� MOSFET,采� TO-263 封裝。該器件屬于 P 溝道增強� MOSFET,適用于高電�、大功率應用場合。其設計�(yōu)化了導通電阻和開關性能,在汽車電子、工�(yè)電源以及通信設備等領域具有廣泛應��
最大漏源電壓:700V
連續(xù)漏極電流�-2.2A
導通電阻:1.5Ω(典型�,@Vgs=-10V�
柵極電荷�39nC(典型值)
輸入電容�1380pF(典型值)
總功耗:12W
工作溫度范圍�-55� � +150�
NTHD4102PT1G 具有以下顯著特性:
1. 高壓能力:額定耐壓� 700V,能夠滿足各種高電壓應用場景的需��
2. 低導通電阻:在特定條件下,其導通電阻僅� 1.5Ω,從而減少了導通損耗并提高了系�(tǒng)效率�
3. 快速開關性能:較小的柵極電荷使得該器件能夠在高頻應用中表現出色�
4. �(wěn)定性強:該器件經過嚴格篩選,具備出色的可靠性和�(wěn)定�,適合惡劣環(huán)境下的使用�
5. 符合 AEC-Q101 標準:適用于汽車級應�,確保在極端條件下的長期可靠性�
6. 小巧封裝:TO-263 封裝節(jié)省空間且散熱性能�(yōu)��
NTHD4102PT1G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) 中的高壓開關元件�
2. 電機驅動電路中的負載切換�
3. 汽車電子系統(tǒng),例如雨刷器電機控制、電動車窗及座椅調節(jié)��
4. 工業(yè)設備中的固態(tài)繼電器替代方��
5. 電信設備中的電源管理模塊�
6. 各類需要高電壓、低功耗的電子系統(tǒng)�
NTHD4102PT1GA, NTHD4102PWT1G