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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > NTHD4102PT1G

NTHD4102PT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 11:24:46 查看 閱讀�22

NTHD4102PT1G 是一款由 Nexperia(原飛利浦半導體事業(yè)部)生產的高� MOSFET,采� TO-263 封裝。該器件屬于 P 溝道增強� MOSFET,適用于高電�、大功率應用場合。其設計�(yōu)化了導通電阻和開關性能,在汽車電子、工�(yè)電源以及通信設備等領域具有廣泛應��

參數

最大漏源電壓:700V
  連續(xù)漏極電流�-2.2A
  導通電阻:1.5Ω(典型�,@Vgs=-10V�
  柵極電荷�39nC(典型值)
  輸入電容�1380pF(典型值)
  總功耗:12W
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

NTHD4102PT1G 具有以下顯著特性:
  1. 高壓能力:額定耐壓� 700V,能夠滿足各種高電壓應用場景的需��
  2. 低導通電阻:在特定條件下,其導通電阻僅� 1.5Ω,從而減少了導通損耗并提高了系�(tǒng)效率�
  3. 快速開關性能:較小的柵極電荷使得該器件能夠在高頻應用中表現出色�
  4. �(wěn)定性強:該器件經過嚴格篩選,具備出色的可靠性和�(wěn)定�,適合惡劣環(huán)境下的使用�
  5. 符合 AEC-Q101 標準:適用于汽車級應�,確保在極端條件下的長期可靠性�
  6. 小巧封裝:TO-263 封裝節(jié)省空間且散熱性能�(yōu)��

應用

NTHD4102PT1G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) 中的高壓開關元件�
  2. 電機驅動電路中的負載切換�
  3. 汽車電子系統(tǒng),例如雨刷器電機控制、電動車窗及座椅調節(jié)��
  4. 工業(yè)設備中的固態(tài)繼電器替代方��
  5. 電信設備中的電源管理模塊�
  6. 各類需要高電壓、低功耗的電子系統(tǒng)�

替代型號

NTHD4102PT1GA, NTHD4102PWT1G

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nthd4102pt1g參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � P 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 2.9A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds750pF @ 16V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�
  • 供應商設備封�ChipFET?
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTHD4102PT1GOSNTHD4102PT1GOS-NDNTHD4102PT1GOSTR