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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTHD4401PT3G

NTHD4401PT3G 發(fā)布時間 時間�2023/10/31 10:25:24 查看 閱讀�145

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�

目錄

概述

制造商:ONSemiconductor
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�
RoHS:是
配置:DualDualDrain
晶體管極性:P-Channel
電阻汲極/源極RDS(導通)�0.2Ohms
正向跨導gFS(最大�/最小值)�5S
汲極/源極擊穿電壓�-20V
�/源擊穿電壓:+/-12V
漏極連續(xù)電流�-2.1A
功率耗散�1.1W
最大工作溫度:+150

安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:ChipFET-8
封裝:Reel
最小工作溫度:-55

StandardPackQty�10000

nthd4401pt3g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

nthd4401pt3g參數(shù)

  • 標準包裝10,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � P 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C155 毫歐 @ 2.1A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds300pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�
  • 供應商設備封�ChipFET?
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTHD4401PT3GOSTR