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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/13 10:43:15 查看 閱讀�588

描述�30V,0.25A,N溝道雙MOSFET

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)�30

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)�1500

最大漏極電流Id(on)(A)�0.250

通道極性:N

封裝/溫度(�):SC88-6/-55~150


資料

廠商
ON Semiconductor

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ntjd4001nt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C250mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 歐姆 @ 10mA�4V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs1.3nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds33pF @ 5V
  • 功率 - 最�272mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTJD4001NT1GOSNTJD4001NT1GOS-NDNTJD4001NT1GOSTR