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NTJD4105CT4 發(fā)布時間 時間：2023/11/6 17:47:26 查看 閱讀：160

產(chǎn)品種類：MOSFET小信號

目錄

概述

制造商：ONSemiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET小信號
RoHS：否
配置：Dual
晶體管極性：NandP-Channel
電阻汲極/源極RDS（導(dǎo)通）：0.36Ohms/0.51Ohms
正向跨導(dǎo)gFS（最大值/最小值）：2S,2S
汲極/源極擊穿電壓：20V,-8V
閘/源擊穿電壓：+/-12V,+/-8V
漏極連續(xù)電流：0.63A,-0.775A
功率耗散：0.27W
最大工作溫度：+150℃

安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝/箱體：SOT-363
封裝：Reel
最小工作溫度：-55℃

StandardPackQty：10000

ntjd4105ct4推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntjd4105ct4參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝10,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V，8V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C630mA，775mA
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C375 毫歐 @ 630mA，4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds46pF @ 20V
  • 功率 - 最大270mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)