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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/13 10:55:50 查看 閱讀�601

分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

家庭:MOSFETs - 陣列

FET 型:N � P 溝道

FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén)

�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.5 歐姆 @ 10mA, 4.5V

漏極至源極電�(Vdss)�30V, 20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�250mA, 880mA

Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1.5V @ 100?A

閘電�(Qg) @ Vgs�1.5nC @ 5V

� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �33pF @ 5V

功率 - 最大:270mW

安裝�(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:SC-70-6,SC-88,SOT-363

包裝:帶� (TR)

供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-363

其它名稱(chēng):NTJD4158CT1G-NDNTJD4158CT1GOSTR

資料

�(chǎng)�
ON Semiconductor

ntjd4158ct1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ntjd4158ct1g資料 更多>

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ntjd4158ct1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V�20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C250mA�880mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 歐姆 @ 10mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs1.5nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds33pF @ 5V
  • 功率 - 最�270mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)NTJD4158CT1G-NDNTJD4158CT1GOSTR