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NTJD4401NT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/4/13 11:04:53 查看 閱讀：487

NTJD4401NT1G技術(shù)參數(shù)

目錄

概述

源漏極間雪崩電壓VBR(V)：20

源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ)：375

最大漏極電流Id(on)(A)：0.630

通道極性：N溝道

封裝/溫度(℃)：SOT-363/-55 ~150

描述：小信號(hào)20 V,雙N溝道 MOSFET

資料

廠商
ON Semiconductor

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
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ntjd4401nt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C630mA
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C375 毫歐 @ 630mA，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds46pF @ 20V
  • 功率 - 最大270mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTJD4401NT1GOSNTJD4401NT1GOS-NDNTJD4401NT1GOSTR