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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/14 11:58:35 查看 閱讀�442

MOSFET小信�(hào)

目錄

概述

制造商:ONSemiconductor

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

RoHS:是

配置:SingleQuadDrain

晶體管極性:P-Channel

電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�0.133Ohms

正向跨導(dǎo)gFS(最大�/最小值)�15S

汲極/源極擊穿電壓�-12V

�/源擊穿電壓:+/-12V

漏極連續(xù)電流�-3.3A

功率耗散�0.625W

最大工作溫度:+150�

安裝�(fēng)格:SMD/SMT

封裝/箱體:SC-88

封裝:Reel

最小工作溫度:-55�

資料

廠商
ON Semiconductor

ntjs3151pt2g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ntjs3151pt2g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.7A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 3.3A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)400mV @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds850pF @ 12V
  • 功率 - 最�625mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)