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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTJS4151PT1G

NTJS4151PT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 12:46:57 查看 閱讀�26

NTJS4151PT1G是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�,專為高頻、高效能�(yīng)用而設(shè)�。該器件采用先進的GaN-on-Silicon工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及無線充電等場景。其封裝形式為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝器�,便于自動化生產(chǎn)和安��
  該型號是恩智浦(NXP)推出的GaN系列的一部分,旨在推動高效率和小型化的電力電子解決方��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:35mΩ
  柵極電荷�75nC
  開關(guān)頻率:高�5MHz
  �(jié)溫范圍:-40℃至+150�
  封裝類型:LFPAK EdgeClip

特�

NTJS4151PT1G的主要特性包括以下幾點:
  1. 高擊穿電壓:該器件支持高�600V的工作電壓,適用于各種高壓應(yīng)用場��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為35mΩ,在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低功��
  3. 快速開�(guān)性能:得益于GaN材料的優(yōu)異性能,該器件可以實現(xiàn)高達5MHz的開�(guān)頻率,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基MOSFET�
  4. 熱穩(wěn)定性強:在高溫�(huán)境下仍能保持良好的性能,工作結(jié)溫可�150��
  5. 小型化封裝:采用LFPAK EdgeClip封裝,不僅節(jié)省空�,還提高了散熱性能�
  6. 高效能源�(zhuǎn)換:特別適合需要高效率和小尺寸的應(yīng)用場�,例如服�(wù)器電�、電動車充電器和無線充電�(shè)��

�(yīng)�

NTJS4151PT1G廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域:
  1. 電源適配器和充電器:支持快速充電功�,同時縮小體積和重量�
  2. �(shù)�(jù)中心電源:提高效率并減少熱損��
  3. 電動交通工具:用于車載充電器和逆變器�
  4. 工業(yè)電源系統(tǒng):如不間斷電源(UPS)、太陽能逆變��
  5. 消費類電子產(chǎn)品:包括無線充電器和便攜式儲能裝��

替代型號

NTJD4150PT1G, NTJM4152PT1G

ntjs4151pt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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ntjs4151pt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 3.3A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds850pF @ 10V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-88
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTJS4151PT1GOSNTJS4151PT1GOS-NDNTJS4151PT1GOSTR