時(shí)間：2024/9/11 9:34:02
閱讀：197
二極管30 V，4.6 A，N溝道，帶2.0 A肖特基勢壘，2x2 mm WDFN封裝
類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：MOSFET，GaNFET-單
FET型：MOSFET N通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）
開態(tài)Rds（最大） Id,Vgs 25℃：70毫歐 2A,4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id) 25℃：2.5A
Id時(shí)的Vgs(th)（最大）：1V 250μA
閘電荷(Qg) Vgs：6.5nC 4.5V
在Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：427pF 15V
功率-最大：710mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-VDFN
包裝：帶卷(TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-TDFN
其它名稱：NTLJF4156NT1G-NDNTLJF4156NT1GOSTR
WDFN封裝提供外露排水墊，實(shí)現(xiàn)卓越的熱傳導(dǎo)
共封裝MOSFET和肖特基，便于電路布局
RDS（開啟）額定電壓為低VGS（開啟）電平，VGS=1.5 V
薄型（<0.8 mm），便于在薄環(huán)境中安裝
低VF肖特基
這是一個(gè)無鉛設(shè)備
