二極管30 V,4.6 A,N溝道,帶2.0 A肖特基勢壘,2x2 mm WDFN封裝
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:MOSFET,GaNFET-單
FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25℃:70毫歐 2A,4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流-連續(xù)漏極(Id) 25℃:2.5A
Id時(shí)的Vgs(th)(最大):1V 250μA
閘電荷(Qg) Vgs:6.5nC 4.5V
在Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):427pF 15V
功率-最大:710mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VDFN
包裝:帶卷(TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:6-TDFN
其它名稱:NTLJF4156NT1G-NDNTLJF4156NT1GOSTR
WDFN封裝提供外露排水墊,實(shí)現(xiàn)卓越的熱傳導(dǎo)
共封裝MOSFET和肖特基,便于電路布局
RDS(開啟)額定電壓為低VGS(開啟)電平,VGS=1.5 V
薄型(<0.8 mm),便于在薄環(huán)境中安裝
低VF肖特基
這是一個(gè)無鉛設(shè)備