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NTMD2C02R2G 發(fā)布時間 時間�2023/11/9 17:04:51 查看 閱讀�212

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFETs - 陣列
FET 型:N � P 溝道
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�43 毫歐 @ 4A, 4.5V
漏極至源極電�(Vdss)�20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�5.2A, 3.4A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�1.2V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�20nC @ 4.5V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �1100pF @ 10V
功率 - 最大:2W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC (窄型)
其它名稱:NTMD2C02R2GOS

ntmd2c02r2g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ntmd2c02r2g�(chǎn)�

ntmd2c02r2g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.2A�3.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C43 毫歐 @ 4A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 10V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTMD2C02R2GOS