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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > NTMD3P03R2G

NTMD3P03R2G 發(fā)布時間 時間�2023/4/12 11:36:43 查看 閱讀�823

類別:分離式半導體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導體產(chǎn)�

家庭:MOSFETs - 陣列

FET 型:2 � P 溝道(雙�

FET 特點:邏輯電平門

開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�85 毫歐 @ 3.05A, 10V

漏極至源極電�(Vdss)�30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�2.34A

Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250μA

閘電�(Qg) @ Vgs�25nC @ 10V

� Vds 時的輸入電容(Ciss) �750pF @ 24V

功率 - 最大:730mW

安裝類型:表面貼�

封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)

包裝:帶� (TR)

供應商設備封裝:8-SOIC (窄型)

其它名稱:NTMD3P03R2GOS

資料

廠商
ON Semiconductor

ntmd3p03r2g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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ntmd3p03r2g參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � P 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.34A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫歐 @ 3.05A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds750pF @ 24V
  • 功率 - 最�730mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTMD3P03R2GOSNTMD3P03R2GOS-NDNTMD3P03R2GOSTR